[发明专利]一种蚀刻装置在审
申请号: | 201710356232.4 | 申请日: | 2017-05-19 |
公开(公告)号: | CN107026112A | 公开(公告)日: | 2017-08-08 |
发明(设计)人: | 彭少凯 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/677 |
代理公司: | 北京聿宏知识产权代理有限公司11372 | 代理人: | 吴大建,何娇 |
地址: | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明公开一种蚀刻装置,包括真空传送腔体和制程腔体,真空传送腔体与制程腔体相邻设置,真空传送腔体与制程腔体相邻的腔体壁上设置有传递窗口,传递窗口用于待蚀刻基板在真空传送腔体与制程腔体之间的传递;在真空传送腔体底部,靠近传递窗口的位置设置有破片侦测器,在真空传送腔体与制程腔体进行换片操作时,真空传送腔体内的压力大于制程腔体内的压力。本发明中的蚀刻装置主要在对于破片的检测方面做出了具体的改进,本发明中的蚀刻装置可以很好的检测到蚀刻装置中的玻璃基板是否发生破片,如果发生破片可以及时进行补救,防止因为检测不及时导致的损失扩大。 | ||
搜索关键词: | 一种 蚀刻 装置 | ||
【主权项】:
一种蚀刻装置,包括真空传送腔体和制程腔体,所述真空传送腔体与所述制程腔体相邻设置,所述真空传送腔体与所述制程腔体相邻的腔体壁上设置有传递窗口,所述传递窗口用于待蚀刻基板在所述真空传送腔体与所述制程腔体之间的传递;其特征在于,在真空传送腔体底部,靠近所述传递窗口的位置设置有破片侦测器,在所述真空传送腔体与所述制程腔体进行换片操作时,所述真空传送腔体内的压力大于所述制程腔体内的压力。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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