[发明专利]一种蚀刻装置在审

专利信息
申请号: 201710356232.4 申请日: 2017-05-19
公开(公告)号: CN107026112A 公开(公告)日: 2017-08-08
发明(设计)人: 彭少凯 申请(专利权)人: 武汉华星光电技术有限公司
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67;H01L21/677
代理公司: 北京聿宏知识产权代理有限公司11372 代理人: 吴大建,何娇
地址: 430070 湖北省武汉市*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明公开一种蚀刻装置,包括真空传送腔体和制程腔体,真空传送腔体与制程腔体相邻设置,真空传送腔体与制程腔体相邻的腔体壁上设置有传递窗口,传递窗口用于待蚀刻基板在真空传送腔体与制程腔体之间的传递;在真空传送腔体底部,靠近传递窗口的位置设置有破片侦测器,在真空传送腔体与制程腔体进行换片操作时,真空传送腔体内的压力大于制程腔体内的压力。本发明中的蚀刻装置主要在对于破片的检测方面做出了具体的改进,本发明中的蚀刻装置可以很好的检测到蚀刻装置中的玻璃基板是否发生破片,如果发生破片可以及时进行补救,防止因为检测不及时导致的损失扩大。
搜索关键词: 一种 蚀刻 装置
【主权项】:
一种蚀刻装置,包括真空传送腔体和制程腔体,所述真空传送腔体与所述制程腔体相邻设置,所述真空传送腔体与所述制程腔体相邻的腔体壁上设置有传递窗口,所述传递窗口用于待蚀刻基板在所述真空传送腔体与所述制程腔体之间的传递;其特征在于,在真空传送腔体底部,靠近所述传递窗口的位置设置有破片侦测器,在所述真空传送腔体与所述制程腔体进行换片操作时,所述真空传送腔体内的压力大于所述制程腔体内的压力。
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