[发明专利]排气装置、半导体制造系统与半导体制造方法有效
申请号: | 201710357807.4 | 申请日: | 2017-05-19 |
公开(公告)号: | CN108962779B | 公开(公告)日: | 2020-11-03 |
发明(设计)人: | 刘冠亨;李幸男;巫昆晋;郑杰夫 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 李昕巍;章侃铱 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本申请提供一种排气装置、半导体制造系统与半导体制造方法。其中排气装置,包括第一流水线与总流水线。第一流水线包括:第一主体部、第一连接部、第一阀装置。第一主体部是沿着第一方向延伸。第一连接部连接第一主体部,且第一连接部包括进气口。第一阀装置连接第一主体部,且第一阀装置包括:第一气孔、第一滑盖、第一固定装置。第一滑盖的位置决定第一气孔的开口大小,且第一气孔的开口大小与第一流水线的排气量的关系为负相关。总流水线包括排气口以及沿第一方向延伸的第一部分,其中,第一部分连接第一流水线。 | ||
搜索关键词: | 排气装置 半导体 制造 系统 方法 | ||
【主权项】:
1.一种排气装置,包括:一第一流水线,包括:一第一主体部,沿着一第一方向延伸;至少一第一连接部,连接该第一主体部,且该至少一第一连接部包括一进气口;以及一第一阀装置,连接该第一主体部,该第一阀装置包括:一第一气孔;一第一滑盖;以及一第一固定装置,被配置以将该第一滑盖固定于至少一第一位置;其中,该至少一第一位置决定该第一气孔的开口大小,且该第一气孔的开口大小与该第一流水线的排气量的关系为负相关;以及一总流水线,包括一排气口以及沿该第一方向延伸的一第一部分,其中,该第一部分连接该第一流水线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造