[发明专利]排气装置、半导体制造系统与半导体制造方法有效

专利信息
申请号: 201710357807.4 申请日: 2017-05-19
公开(公告)号: CN108962779B 公开(公告)日: 2020-11-03
发明(设计)人: 刘冠亨;李幸男;巫昆晋;郑杰夫 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67
代理公司: 隆天知识产权代理有限公司 72003 代理人: 李昕巍;章侃铱
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 本申请提供一种排气装置、半导体制造系统与半导体制造方法。其中排气装置,包括第一流水线与总流水线。第一流水线包括:第一主体部、第一连接部、第一阀装置。第一主体部是沿着第一方向延伸。第一连接部连接第一主体部,且第一连接部包括进气口。第一阀装置连接第一主体部,且第一阀装置包括:第一气孔、第一滑盖、第一固定装置。第一滑盖的位置决定第一气孔的开口大小,且第一气孔的开口大小与第一流水线的排气量的关系为负相关。总流水线包括排气口以及沿第一方向延伸的第一部分,其中,第一部分连接第一流水线。
搜索关键词: 排气装置 半导体 制造 系统 方法
【主权项】:
1.一种排气装置,包括:一第一流水线,包括:一第一主体部,沿着一第一方向延伸;至少一第一连接部,连接该第一主体部,且该至少一第一连接部包括一进气口;以及一第一阀装置,连接该第一主体部,该第一阀装置包括:一第一气孔;一第一滑盖;以及一第一固定装置,被配置以将该第一滑盖固定于至少一第一位置;其中,该至少一第一位置决定该第一气孔的开口大小,且该第一气孔的开口大小与该第一流水线的排气量的关系为负相关;以及一总流水线,包括一排气口以及沿该第一方向延伸的一第一部分,其中,该第一部分连接该第一流水线。
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