[发明专利]形成布局图案的方法有效
申请号: | 201710363149.X | 申请日: | 2017-05-22 |
公开(公告)号: | CN108957943B | 公开(公告)日: | 2021-02-19 |
发明(设计)人: | 王嫈乔;童宇诚;冯立伟;何建廷 | 申请(专利权)人: | 联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司 |
主分类号: | G03F1/36 | 分类号: | G03F1/36 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开一种形成布局图案的方法。首先提供一阵列图案,包含多个特征图形沿着一第一方向排列成多列,该多列特征图形在一第二方向上平行并交错。接着在各列的相邻特征图形之间插入一辅助图形。取得第n列和第n‑1列该特征图形的一最短距离d1以及第n+1列和第n‑1列该特征图形的一最短距离d2,并且根据最短距离d1和最短距离d2的差异调整插入在第n列的辅助图形。后续再将包含该辅助图形的该阵列图案输出至一光掩模。 | ||
搜索关键词: | 形成 布局 图案 方法 | ||
【主权项】:
1.一种形成布局图案的方法,包含:提供一阵列图案,包含多个特征图形,等距地沿着一第一方向排列成多列,其中第n‑1列、第n列以及第n+1列该特征图形在一第二方向上交错;在各列该特征图形之间插入一辅助图形;取得第n列和第n‑1列该特征图形的一最短距离d1和第n+1列和第n‑1列该特征图形的一最短距离d2;根据该最短距离d1和该最短距离d2的差异,调整插入在第n列的该辅助图形;以及将包含该辅助图形的该阵列图案输出至一光掩模。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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