[发明专利]OLED微型显示器IC片及其制备方法在审
| 申请号： | 201710365177.5 | 申请日： | 2017-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN107393863A | 公开（公告）日： | 2017-11-24 |
| 发明（设计）人： | 茆胜 | 申请（专利权）人： | 茆胜 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 深圳市瑞方达知识产权事务所(普通合伙)44314 | 代理人： | 王少虹,许国兴 |
| 地址： | 广东省深圳市福田区*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种OLED微型显示器IC片及其制备方法，制备方法包括以下步骤S1、通过离子注入法将氧离子注入到硅片内，形成注氧基片；S2、在惰性气体保护下，对所述注氧基片进行退火，以在所述注氧基片内形成SiO2埋层，制得SOI基片；S3、在所述SOI基片上制作IC电路，制得IC片。本发明实现在SOI基片上制备IC片，适用于OLED微型显示器，解决了IC片随着显示器分辨率的提高，IC片上器件尺寸大大缩小，一般的体硅CMOS器件会产生多维及非线性效应、隧穿效应、短沟道效应、窄沟道效应等使得器件响应速度变慢、功耗升高、集成密度难以提升等问题，利于提高显示器像素密度。 | ||
| 搜索关键词： | oled 微型 显示器 ic 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种OLED微型显示器IC片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、通过离子注入法将氧离子注入到硅片内，形成注氧基片；S2、在惰性气体保护下，对所述注氧基片进行退火，以在所述注氧基片内形成SiO2埋层，制得SOI基片；S3、在所述SOI基片上制作IC电路，制得IC片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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