[发明专利]在集成电路的互连部分中形成电中断的方法及集成电路

摘要

本申请涉及在集成电路的互连部分中形成电中断的方法及集成电路。提供一种集成电路，该集成电路包括互连部分(PITX)，该互连部分包括：至少一个通孔层级(V1)，该至少一个通孔层级位于下金属化层级(M1)与上金属化层级(M2)之间，该下金属化层级被绝缘包封层(C1)并且被金属化层级间绝缘层(C2)覆盖；以及至少一个电中断(CS3)，该至少一个电中断位于该通孔层级的至少一个通孔(V11)与该下金属化层级的至少一个轨(P1)之间，该至少一个电中断包括附加绝缘层(CS3)，该附加绝缘层具有与该金属化层级间绝缘层(C2)的构成完全相同的构成、位于该至少一个通孔(V11)与该至少一个轨(P1)之间并且被该包封层(C1)定界。

主权项

1.一种用于在至少一个通孔层级(V1)中形成至少一个电中断的方法，所述至少一个通孔层级位于集成电路的互连部分(PITX)的下金属化层级(M1)与上金属化层级(M2)之间，所述方法包括形成被绝缘包封层(C1)覆盖的所述下金属化层级(M1)，在所述包封层的顶部上形成金属化层级间绝缘层(C2)，在所述金属化层级间绝缘层(C2)内形成至少第一金属轨(P2)和至少第一通孔(V10)，所述至少第一金属轨位于所述上金属化层级处，所述至少第一通孔与所述至少第一轨(P2)电接触并且穿过所述包封层(C1)与所述下金属化层级的至少第二金属轨(P1)电接触，以及在形成每个第一通孔(V10)以及所述上金属化层级的每个第一金属轨(P2)之后，在所述包封层的层级处形成所述至少一个电中断(CS3)，所述至少一个电中断在所述通孔层级(Vn)的至少第二通孔(V11)与所述下金属化层级的至少第三轨(P1)之间。