[发明专利]一种可集成的无定型硅波导结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201710372174.4 | 申请日： | 2017-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN107238891B | 公开（公告）日： | 2019-11-05 |
| 发明（设计）人： | 耿煜;张运生 | 申请（专利权）人： | 深圳信息职业技术学院;耿煜;张运生 |
| 主分类号： | G02B6/12 | 分类号： | G02B6/12;G02B6/132 |
| 代理公司： | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人： | 官建红 |
| 地址： | 518029 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明适用于光电领域，提供了一种可集成的无定型硅波导结构及其制作方法，该结构包括：单晶半导体、第一二氧化硅层、无定型硅层和第二二氧化硅层；第一二氧化硅层通过沉积形成于单晶半导体上，无定型硅层通过沉积形成于第一二氧化硅层上。本发明提供的无定型硅波导结构可以通过控制第一二氧化硅层和无定型硅层厚度，调节无定型硅波导起到波导或是波导上包层作用，并通过光刻工艺或者自校准工艺，严格校准不同无定型硅波导或者无定型硅波导与其他波导之间的水平方向耦合，以降低工艺难度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 集成 定型 波导 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种可集成的无定型硅波导结构，其特征在于，所述结构包括：单晶半导体、第一二氧化硅层、无定型硅层和第二二氧化硅层；所述第一二氧化硅层通过沉积形成于所述单晶半导体上，所述无定型硅层通过沉积形成于所述第一二氧化硅层上，所述第二二氧化硅层通过沉积形成于所述无定型硅层上；若光场中心强度位于所述单晶半导体内，则所述无定型硅层厚度小于200nm；若光场中心强度位于所述无定型硅层内，则所述无定型硅层厚度大于或等于200nm。
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