[发明专利]制造半导体器件的方法、半导体衬底组件和管芯组件

摘要

本发明涉及将半导体管芯从半导体衬底分离的方法、半导体衬底组件以及半导体管芯组件。从主表面（101）向半导体衬底（100）中刻蚀分离凹槽（150）。所述分离凹槽（150）使芯片区（110）在平行于主表面（101）的水平方向上分离。所述分离凹槽（150）中的至少一些与所述半导体衬底（100）的横向外表面（103）隔开至多第一距离（ex1）。沿着横向表面（103）形成凹口（158）。凹口（158）从主表面101延伸到半导体衬底（100）中。凹口（158）的最小水平凹口宽度（ex2）等于或大于第一距离（d1）。凹口158关于主表面（101）的垂直延伸（v2）等于或大于分离凹槽（150）的垂直延伸（v1）。

主权项

一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：从主表面（101）向半导体衬底（100）中刻蚀分离凹槽（150），其中所述分离凹槽（150）使芯片区（110）在平行于所述主表面（101）的水平方向上分离，并且其中所述分离凹槽（150）中的至少一些与半导体衬底（100）的横向外表面（103）隔开至多第一距离（ex1）；以及沿着横向表面（103）形成凹口（158），其中所述凹口（158）从所述主表面（101）延伸到所述半导体衬底（100）中，最小水平凹口宽度（ex2）等于或大于第一距离（d1），并且所述凹口（158）关于所述主表面（101）的垂直延伸（v2）等于或大于所述分离凹槽（150）的垂直延伸（v1）。