[发明专利]非易失性静态随机存取存储器系统及操作方法有效
| 申请号： | 201710381689.0 | 申请日： | 2017-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN107437426B | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 阿尼尔班·罗伊;乔恩·斯科特·乔伊;迈克尔·A·塞德 | 申请（专利权）人： | 恩智浦美国有限公司 |
| 主分类号： | G11C7/10 | 分类号： | G11C7/10;G11C11/16;G11C11/413 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 吴晓兵 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种集成电路(IC)装置包含静态随机存取存储器(SRAM)阵列以及电阻式存储器(电阻式存储器)阵列。所述电阻式存储器阵列中的第一组可编程电阻性元件用以存储来自所述SRAM阵列中的存储器单元的数据。读出放大器电路可耦合到所述SRAM阵列和所述电阻式存储器阵列。仲裁器被配置成断言电阻式存储器启用信号，以在电阻式存储器读取操作期间将所述读出放大器电路耦合到所述电阻式存储器阵列且将所述读出放大器电路从所述SRAM阵列去耦，以及在SRAM读取操作期间将所述读出放大器耦合到所述SRAM阵列且将所述读出放大器电路从所述电阻式存储器阵列去耦。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 静态 随机存取存储器 系统 操作方法 | ||
【主权项】：
一种集成电路(IC)装置，其特征在于，包括：静态随机存取存储器(SRAM)阵列；电阻式存储器阵列，所述电阻式存储器阵列中的第一组可编程电阻性元件用以存储来自所述SRAM阵列中的存储器单元的数据；读出放大器电路，其可耦合到所述SRAM阵列和所述电阻式存储器阵列；仲裁器，其被配置成断言电阻式存储器启用信号以在电阻式存储器读取操作期间将所述读出放大器电路耦合到所述电阻式存储器阵列且将所述读出放大器电路从所述SRAM阵列去耦，以及在SRAM读取操作期间将所述读出放大器耦合到所述SRAM阵列且将所述读出放大器电路从所述电阻式存储器阵列去耦。
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