[发明专利]一种PMOS器件结构有效
| 申请号： | 201710384457.0 | 申请日： | 2017-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN107180856B | 公开（公告）日： | 2020-01-17 |
| 发明（设计）人： | 乔明;李路;梁龙飞;董仕达;周庭宇;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 51232 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 敖欢;葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供一种PMOS器件结构，包括P型轻掺杂衬底、N型轻掺杂外延层、P型漂移区、N型bulk端、P型源端、左N型埋层、左隔离区，P型漏端、右N型埋层、右右隔离区，本发明采用向左N型阱区中添加左N型埋层的方法，提高了该区域的载流子浓度，有效阻止了P型漂移区向左耗尽，从而有效地阻止了P型源端与P型漂移区的沟道PNP穿通；同理，通过向右N型阱区中添加右N型埋层有效地阻止了P型漂移区与P型隔离区形成的PNP穿通，提高了小尺寸下器件的可靠性，节省面积，通过向左N型阱区中添加P型调沟，可以降低由左N型阱区带来的阈值电压的提升，既提升了该区域的电子浓度，阻止穿通，又能使本发明结构阈值电压基本维持不变。 | ||
| 搜索关键词： | 隔离区 穿通 阈值电压 有效地 载流子 外延层 衬底 沟道 耗尽 | ||
【主权项】：
1.一种PMOS器件结构，其特征在于：包括P型轻掺杂衬底(15)、位于P型轻掺杂衬底(15)上方的N型轻掺杂外延层(14)，所述N型轻掺杂外延层(14)包括位于其内部中间的P型漂移区(9)，P型漂移区(9)外部左侧包括有：N型bulk端(3)、N型bulk端(3)右侧的P型源端(2)、P型源端(2)右侧下方的左N型埋层(101)、N型bulk端(3)左侧的左隔离区，所述左隔离区包括左P型隔离区(121)、左P型隔离区(121)下方的左P型埋层隔离区(131)，P型漂移区(9)的内部右侧顶端设有P型漏端(1)，P型漂移区(9)外部右侧包括有：右N型埋层(102)、右N型埋层(102)外部右侧的右隔离区，所述右隔离区包括右P型隔离区(122)、右P型隔离区(122)下方的右P型埋层隔离区(132)，N型轻掺杂外延层(14)上方覆盖一层氧化层(4)；在N型bulk端(3)与P型源端(2)之上淀积金属电极形成源极(5)，在P型漏端(1)之上淀积金属电极形成漏极(7)，在P型调沟(8)和P型漂移区(9)之上淀积多晶硅形成栅极(6)；/n还包括位于P型漂移区(9)外部左侧的左N型阱区(111)，所述N型bulk端(3)位于左N型阱区(111)内部顶端左侧，所述P型源端(2)位于左N型阱区(111)内部顶端中间，所述左N型埋层(101)位于P型源端(2)右侧下方的左N型阱区(111)内部；/n还包括位于左N型阱区(111)内部的P型调沟(8)，所述P型调沟(8)位于P型源端(2)右侧、左N型埋层(101)上方；/n还包括位于P型漂移区(9)外部右侧的右N型阱区(112)，右N型埋层(102)位于右N型阱区(112)内部。/n
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