[发明专利]FINFET结构及其方法有效
| 申请号： | 201710385218.7 | 申请日： | 2017-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN107452804B | 公开（公告）日： | 2020-06-12 |
| 发明（设计）人： | 冯家馨 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供了用于FinFET S/D部件的独特结构的方法和结构，其描述了一种半导体器件，该器件包括具有从其延伸的鳍的衬底，鳍包括沟道区以及与沟道区的任一侧相邻并位于其上的源极区和漏极区。在各个实施例中，栅极结构设置在沟道区上方，并且栅极结构包括设置在介电层上方的金属层。在一些实例中，第一外延层至少部分地嵌入在源极区和漏极区内。此外，第二外延层设置在第一外延层上方，其中第二外延层的顶面在垂直于衬底的方向上高于金属层的顶面。在各个实例中，硅化物层还设置在第二外延层上方并与其接触。本发明实施例涉及FINFET结构及其方法。 | ||
| 搜索关键词： | finfet 结构 及其 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：衬底，具有从所述衬底延伸的鳍，所述鳍包括沟道区以及与所述沟道区的任一侧相邻且位于所述沟道区的任一侧上的源极区和漏极区；栅极结构，设置在所述沟道区上方，其中，所述栅极结构包括设置在介电层上方的金属层；第一外延层，至少部分地嵌入在所述源极区和漏极区内；第二外延层，设置在所述第一外延层上方，其中，所述第二外延层的顶面在沿着垂直于所述衬底的方向上高于所述金属层的顶面；以及硅化物层，设置在所述第二外延层上方，并且与所述第二外延层接触。
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