[发明专利]一种LED基于正面焊盘可共晶的封装结构及方法在审
申请号: | 201710386505.X | 申请日: | 2017-05-26 |
公开(公告)号: | CN107086215A | 公开(公告)日: | 2017-08-22 |
发明(设计)人: | 陈永平 | 申请(专利权)人: | 厦门市东太耀光电子有限公司 |
主分类号: | H01L25/075 | 分类号: | H01L25/075;H01L33/00;H01L33/48;H01L33/62 |
代理公司: | 深圳市千纳专利代理有限公司44218 | 代理人: | 胡坚 |
地址: | 361000 福建省厦门市火炬高新区(翔*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 本发明提供了一种LED基于正面焊盘可共晶的封装结构,属于LED领域,包括LED芯片,LED芯片正面的一对边缘位置上设有第一金属导电层,LED芯片的反面设有第二金属导电层,一对第一金属导电层分别共晶焊接有第一金属片,两个第一金属片延伸至LED芯片外的同一端下方连接有第二金属片,第二金属片的厚度与整个LED芯片高度一致。与现有技术相比,该封装结构及其方法采用共晶焊接方式将两个第一金属片分别焊接LED芯片正面上的第一金属导电层上,两个第一金属片的下方之间连接有与LED芯片高度一致的第二金属片,利用第二金属片以及LED芯片反面的第二金属导电层作为电极,解决现有LED晶片中金线焊接困难的问题,降低制造成本,减少制造工序,提高加工效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 led 基于 正面 焊盘可共晶 封装 结构 方法 | ||
【主权项】:
一种LED基于正面焊盘可共晶的封装结构,包括LED芯片,其特征在于:LED芯片正面的一对边缘位置上设有第一金属导电层,LED芯片的反面设有第二金属导电层,一对第一金属导电层分别共晶焊接有第一金属片,两个第一金属片延伸至LED芯片外的同一端下方连接有第二金属片,第二金属片的厚度与整个LED芯片高度一致。
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