[发明专利]芯片接合薄膜、切割芯片接合薄膜及半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201710392803.X | 申请日： | 2017-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN107434955B | 公开（公告）日： | 2021-09-21 |
| 发明（设计）人： | 福井章洋;大西谦司;宍户雄一郎;木村雄大;高本尚英 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | C09J7/30 | 分类号： | C09J7/30;C08F220/18;C08F220/28;C08F8/30;C09J133/00;C09J161/06;C09J11/04;H01L21/78 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供芯片接合薄膜、切割芯片接合薄膜及半导体装置的制造方法，所述芯片接合薄膜能对不进行热固化的芯片接合薄膜良好地进行引线键合。一种芯片接合薄膜，其含有平均粒径为5nm～100nm的范围内的填料、热塑性树脂以及酚醛树脂，热固化前在150℃下的拉伸储能模量为大于0.3MPa且30MPa以下。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 接合 薄膜 切割 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种芯片接合薄膜，其特征在于，含有平均粒径为5nm～100nm的范围内的填料、热塑性树脂以及酚醛树脂，热固化前在150℃下的拉伸储能模量为大于0.3MPa且30MPa以下。
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