[发明专利]一种薄膜晶体管及其控制方法有效
| 申请号： | 201710393405.X | 申请日： | 2017-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN107195672B | 公开（公告）日： | 2019-12-10 |
| 发明（设计）人： | 谌伟;赵永亮;吴旭;周厚峰;宁智勇 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;重庆京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L21/336;H01L29/786 |
| 代理公司： | 11319 北京润泽恒知识产权代理有限公司 | 代理人： | 莎日娜 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种薄膜晶体管及其控制方法。所述薄膜晶体管包括:基板；栅极，设置于基板上；栅极绝缘层，覆盖于栅极和基板的表面；有源层，设置于栅极绝缘层上；源极与漏极，设置于有源层上，源极包括为两个源极电极，漏极包括两个漏极电极，两个漏极电极平行设置在两个源极电极之间，源极电极与相邻的漏极电极之间形成主沟道，两个漏极电极之间形成副沟道；当任一主沟道出现短路时，切断出现短路的主沟道对应的漏极电极，切断的漏极电极作为出现短路的主沟道对应的源极电极的一部分使用，将两个漏极电极之间形成的副沟道作为新主沟道使用，控制操作对薄膜晶体管的性能影响不大，控制操作后薄膜晶体管对应的像素点仍可以使用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 及其 控制 方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管包括:/n基板；/n栅极，设置于所述基板上；/n栅极绝缘层，覆盖于所述栅极和所述基板的表面；/n有源层，设置于所述栅极绝缘层上；/n源极与漏极，设置于所述有源层上，所述源极包括两个源极电极，所述漏极包括两个漏极电极，所述两个漏极电极平行设置在所述两个源极电极之间，所述源极电极与相邻的漏极电极之间形成主沟道，所述两个漏极电极之间形成副沟道；所述主沟道被配置为当其出现短路时，与其对应的漏极电极被切断，所述被切断的漏极电极作为出现短路的所述主沟道对应的源极电极的一部分，两个漏极电极之间形成的副沟道作为新主沟道。/n
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