[发明专利]一种提高重布线层表面均匀性的方法有效
| 申请号： | 201710395647.2 | 申请日： | 2017-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN108962774B | 公开（公告）日： | 2020-08-04 |
| 发明（设计）人： | 蔡凤萍;令狐新杰;刘贵娟 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种提高重布线层表面均匀性的方法，所述方法包括：提供半导体晶圆；在所述半导体晶圆上依次形成种子层和重布线层；对所述重布线层的表面进行钝化处理；刻蚀去除未被所述重布线层覆盖的所述种子层。采用本发明的方法，对重布线层表面进行钝化处理，使重布线层表面发生钝化，使得重布线层与种子层在蚀刻工艺中的蚀刻选择比降低，显著地减轻在蚀刻种子层的过程中对重布线层的蚀刻，从而提高了重布线层的厚度均匀性，并降低了蚀刻后重布线层表面的粗糙度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 布线 表面 均匀 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
