[发明专利]基于集成电路的半导体装置有效
申请号: | 201710397056.9 | 申请日: | 2015-07-22 |
公开(公告)号: | CN107104101B | 公开(公告)日: | 2019-02-15 |
发明(设计)人: | 白尚训;吴祥奎;都桢湖;朴善暎;李昇映;元孝植 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L27/092;H01L27/118;H01L21/336 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 刘灿强;田野 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 提供了一种集成电路(IC)、一种半导体装置和一种标准单元库。集成电路(IC)可包括至少一个单元,所述至少一个单元包括:多条导线,沿第一方向延伸并且沿与第一方向垂直的第二方向彼此平行;第一接触件,分别设置在所述多条导线中的至少一条导线的两侧处;以及第二接触件,设置在所述至少一条导线和第一接触件上并通过电连接到所述至少一条导线和第一接触件而形成单个节点。 | ||
搜索关键词: | 集成电路 基于 半导体 装置 标准 单元 | ||
【主权项】:
1.一种半导体装置,所述半导体装置包括:多个标准单元,包括第一标准单元和第二标准单元,所述多个标准单元中的每个标准单元包括基板,其中,第一标准单元包括:第一栅电极,设置在第一标准单元的基板上;第二栅电极,设置在第一标准单元的基板上;第三栅电极,设置在第一标准单元的基板上,第二栅电极设置在第一栅电极与第三栅电极之间;第一接触件,设置在第一栅电极与第二栅电极之间,并连接以第一栅电极作为栅电极的晶体管和以第二栅电极作为栅电极的晶体管;第二接触件,设置在第二栅电极与第三栅电极之间,并连接以第二栅电极作为栅电极的晶体管和以第三栅电极作为栅电极的晶体管;以及第三接触件,设置在第一接触件、第二栅电极和第二接触件上,并被构造为电连接到第一接触件、第二栅电极和第二接触件,第三接触件接触第一接触件、第二栅电极和第二接触件,第三接触件被构造为与第一栅电极电隔离,其中,第一标准单元或第二标准单元包括:第四栅电极,设置在第一标准单元或第二标准单元的基板上;第五栅电极,设置在第一标准单元或第二标准单元的基板上;第六栅电极,设置在第一标准单元或第二标准单元的基板上,第五栅电极设置在第四栅电极与第六栅电极之间;第四接触件,设置在第四栅电极与第五栅电极之间,并连接以第四栅电极作为栅电极的晶体管和以第五栅电极作为栅电极的晶体管;第五接触件,设置在第五栅电极与第六栅电极之间,并连接以第五栅电极作为栅电极的晶体管和以第六栅电极作为栅电极的晶体管;以及第六接触件,设置在第四接触件、第五栅电极和第五接触件上,并被构造为电连接到第四接触件、第五栅电极和第五接触件,第六接触件接触第四接触件、第五栅电极和第五接触件,第六接触件被构造为与第四栅电极电隔离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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