[发明专利]基于集成电路的半导体装置有效

专利信息
申请号: 201710397056.9 申请日: 2015-07-22
公开(公告)号: CN107104101B 公开(公告)日: 2019-02-15
发明(设计)人: 白尚训;吴祥奎;都桢湖;朴善暎;李昇映;元孝植 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L27/02 分类号: H01L27/02;H01L27/092;H01L27/118;H01L21/336
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 刘灿强;田野
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 提供了一种集成电路(IC)、一种半导体装置和一种标准单元库。集成电路(IC)可包括至少一个单元,所述至少一个单元包括:多条导线,沿第一方向延伸并且沿与第一方向垂直的第二方向彼此平行;第一接触件,分别设置在所述多条导线中的至少一条导线的两侧处;以及第二接触件,设置在所述至少一条导线和第一接触件上并通过电连接到所述至少一条导线和第一接触件而形成单个节点。
搜索关键词: 集成电路 基于 半导体 装置 标准 单元
【主权项】:
1.一种半导体装置,所述半导体装置包括:多个标准单元,包括第一标准单元和第二标准单元,所述多个标准单元中的每个标准单元包括基板,其中,第一标准单元包括:第一栅电极,设置在第一标准单元的基板上;第二栅电极,设置在第一标准单元的基板上;第三栅电极,设置在第一标准单元的基板上,第二栅电极设置在第一栅电极与第三栅电极之间;第一接触件,设置在第一栅电极与第二栅电极之间,并连接以第一栅电极作为栅电极的晶体管和以第二栅电极作为栅电极的晶体管;第二接触件,设置在第二栅电极与第三栅电极之间,并连接以第二栅电极作为栅电极的晶体管和以第三栅电极作为栅电极的晶体管;以及第三接触件,设置在第一接触件、第二栅电极和第二接触件上,并被构造为电连接到第一接触件、第二栅电极和第二接触件,第三接触件接触第一接触件、第二栅电极和第二接触件,第三接触件被构造为与第一栅电极电隔离,其中,第一标准单元或第二标准单元包括:第四栅电极,设置在第一标准单元或第二标准单元的基板上;第五栅电极,设置在第一标准单元或第二标准单元的基板上;第六栅电极,设置在第一标准单元或第二标准单元的基板上,第五栅电极设置在第四栅电极与第六栅电极之间;第四接触件,设置在第四栅电极与第五栅电极之间,并连接以第四栅电极作为栅电极的晶体管和以第五栅电极作为栅电极的晶体管;第五接触件,设置在第五栅电极与第六栅电极之间,并连接以第五栅电极作为栅电极的晶体管和以第六栅电极作为栅电极的晶体管;以及第六接触件,设置在第四接触件、第五栅电极和第五接触件上,并被构造为电连接到第四接触件、第五栅电极和第五接触件,第六接触件接触第四接触件、第五栅电极和第五接触件,第六接触件被构造为与第四栅电极电隔离。
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