[发明专利]半导体器件和方法有效
| 申请号： | 201710402652.1 | 申请日： | 2017-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN107689355B | 公开（公告）日： | 2020-06-12 |
| 发明（设计）人： | 张哲诚;林志翰;曾鸿辉 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/482 | 分类号： | H01L23/482;H01L21/50;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种用于制造半导体器件(例如，鳍式场效应晶体管)的代表性方法包括以下步骤：在衬底上方沉积第一绝缘材料，并且在第一绝缘材料中形成第一导电接触件。第一导电接触件具有突出的最上表面，具有沿着第一导电接触件的中心部分的第一高度和沿着第一导电接触件的侧壁的垂直矢量投影的第二高度。第一高度大于第二高度。在第一绝缘材料上方设置第二绝缘材料，并且在第二绝缘材料中形成第二导电接触件。在第一导电接触件上方设置第二导电接触件并且至少部分地位于第一导电接触件内。第二导电接触件的最下表面和第一导电接触件的突出的最上表面之间的距离小于约1.0nm。本发明实施例涉及半导体器件和方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：第一导电接触件，设置在衬底上方，所述第一导电接触件包括具有第一横向宽度的最上表面；以及第二导电接触件，位于所述第一导电接触件上方，所述第二导电接触件包括具有第二横向宽度的下部，其中，所述第一横向宽度大于所述第二横向宽度。
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