[发明专利]一种小信号量测的去嵌方法

摘要

本发明公开了一种小信号量测的去嵌方法，包括：形成一待测件量测结构、一直通去嵌件和一开路去嵌件；分别测试并且提取待测件量测结构、开路去嵌件和直通去嵌件的S散射参数；通过算法将直通去嵌件的S散射参数提取出等效的短路去嵌件的S散射参数；将开路去嵌件的S散射参数转换成Y导纳参数；将等效的短路去嵌件的S散射参数转换成Z阻抗参数；将待测件量测结构的S散射参数分别转换成Y导纳和Z阻抗参数，并与开路去嵌件和等效的短路去嵌件的应参数进行矩阵计算，获得去嵌后的S散射参数。对于带孔器件，本发明方法可以避免短路去嵌件去嵌过程中，量测结果被过度去嵌。

主权项

1.一种小信号量测的去嵌方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一，形成一待测件量测结构、一直通去嵌件和一开路去嵌件；所述待测件量测结构包括一待测件DUT、一信号输入焊盘S1、一信号输出焊盘S2、第一接地焊盘G1、第二接地焊盘G2、第三接地焊盘G3、第四接地焊盘G4、第一接地背孔V1和第二接地背孔V2，所述信号输入焊盘S1与所述待测件DUT的输入端通过接线金属M1相连，所述信号输出焊盘S2与所述待测件DUT的输出端通过接线金属M2相连，所述第一接地背孔V1与所述待测件DUT的接地端通过接线金属M3相连，所述第二接地背孔V2与所述待测件DUT的接地端通过接线金属M4相连；所述直通去嵌件是在所述待测件量测结构的基础上去除所述待测件DUT、所述第一接地背孔V1、所述第二接地背孔V2、所述接线金属M3及所述接线金属M4，且所述信号输入焊盘S1和信号输出焊盘S2之间通过所述接线金属M1和所述接线金属M2相连；所述开路去嵌件是在所述待测件量测结构的基础上去除所述待测件DUT、所述接线金属M3和所述接线金属M4；步骤二，分别测试并提取所述待测件量测结构、开路去嵌件和直通去嵌件的S散射参数；步骤三，通过算法将所述直通去嵌件的S散射参数提取出等效的短路去嵌件的S散射参数；步骤四，将所述开路去嵌件的S散射参数转换成Y导纳参数；步骤五，将所述等效的短路去嵌件的S散射参数换成Y导纳参数，并与开路去嵌件的Y导纳参数进行矩阵计算，将得到的Y导纳参数转换成Z阻抗参数，该Z阻抗参数为去除开路电容效应的短路去嵌件的Z阻抗参数；步骤六，将所述待测件量测结构的S散射参数分别转换成Y导纳和Z阻抗参数，并与所述开路去嵌件和已去除电容效应的等效短路去嵌件的对应参数进行矩阵计算，获得去嵌后的S散射参数；通过算法将所述直通去嵌件的S散射参数提取出等效的短路去嵌件的S散射参数，具体包括：将所述直通去嵌件的S散射参数转换成Z阻抗参数；其中，对于二端口网络，对于所述直通去嵌件，在去嵌过程中假定其中心为地，据此算出等效的Z阻抗参数其中，Z¹²′＝Z²¹′＝0：将得到等效Z阻抗参数，转换成S散射参数，即得到等效的短路去嵌件的S散射参数。