[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

本公开涉及半导体装置及其制造方法。当在背侧照明型的固态成像元件的划线区域中形成穿透半导体衬底的沟槽时，可以防止由形成沟槽的蚀刻步骤或用于分割半导体芯片的划片步骤引起的固态成像元件的污染的发生。当形成覆盖晶体管的电极的表面等的硅化物层时，为了防止在划线区域形成覆盖半导体衬底的主表面的硅化物层，半导体衬底的主表面在硅化物层的形成步骤之前被绝缘膜覆盖。

主权项

一种用于制造半导体装置的方法，所述半导体装置具有背侧照明型的固态成像元件，所述方法包括以下步骤：(a)提供半导体衬底，所述半导体衬底包括主表面和在所述主表面的相对侧的背表面；(b)在平面图中的第二区域的所述主表面的一部分处形成元件分离区域，所述第二区域围绕所述半导体衬底的第一区域；(c)形成覆盖从所述第二区域中的所述元件分离区域露出的所述半导体衬底的主表面的绝缘膜；(d)在步骤(c)之后，形成与所述第一区域的半导体衬底的主表面接触的硅化物层；(e)在步骤(d)之后，在所述半导体衬底的主表面之上形成布线层并在所述布线层之上加入支撑衬底；(f)在步骤(e)之后，通过去除所述第二区域的半导体衬底来露出所述绝缘膜；以及(g)在步骤(f)之后，切割所述第二区域的布线层和支撑衬底，从而获得包括所述第一区域的半导体衬底的固态成像元件。