[发明专利]一种薄膜晶体管及其制作方法、显示面板有效
| 申请号： | 201710416020.0 | 申请日： | 2017-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN107204289B | 公开（公告）日： | 2019-11-08 |
| 发明（设计）人： | 李海旭;曹占锋;姚琪;汪建国;孟凡娜 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3213 | 分类号： | H01L21/3213;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 林桐苒;李丹 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜晶体管及其制作方法、显示面板，其中，该方法包括：形成金属薄膜；对金属薄膜进行处理，使金属薄膜的表面上形成配合层；所述配合层用于与光刻胶作用产生氢键；通过构图工艺形成电极，当在表面上形成有配合层的金属薄膜上进行构图工艺时，由于配合层与光刻胶作用产生氢键，有效的提高了光刻胶与金属之间的粘附力，使得金属刻蚀过程中光刻胶不易剥落，实现了薄膜晶体管的广泛使用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 及其 制作方法 显示 面板 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管制作方法，其特征在于，包括：形成金属薄膜；对所述金属薄膜进行处理，使金属薄膜的表面上形成配合层；所述配合层用于与光刻胶作用产生氢键；所述对金属薄膜进行处理，包括利用湿法刻蚀设备采用指定溶液对金属薄膜进行处理；所述配合层中包括：用于与光刻胶产生氢键的三嗪环、亚胺基团、酰胺基团和芳香环；通过构图工艺形成电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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