[发明专利]光掩模及其制作方法有效
| 申请号： | 201710416885.7 | 申请日： | 2017-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN108227370B | 公开（公告）日： | 2023-01-03 |
| 发明（设计）人： | 张浩铭;赖建宏;林政旻;王宣文;杨民安;许盛昌;魏绍琦;朱远志 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/68 | 分类号： | G03F1/68;G03F1/26 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 顾伯兴 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种制造光掩模的方法包括：在透光性衬底之上沉积终点层；在所述终点层之上沉积移相器；在所述移相器之上沉积硬掩模层；以及移除所述硬掩模层的一部分及所述移相器的第一部分，以暴露出所述终点层的一部分。所述终点层及所述透光性衬底对于预定波长是可透光的。 | ||
| 搜索关键词： | 光掩模 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造光掩模的方法，其特征在于，包括：在透光性衬底之上沉积终点层，其中所述终点层及所述透光性衬底对于预定波长是可透光的；在所述终点层之上沉积移相器；在所述移相器之上沉积硬掩模层；以及移除所述硬掩模层的一部分及所述移相器的第一部分，以暴露出所述终点层的一部分。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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