[发明专利]半导体结构及其形成方法

摘要

一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供衬底以及位于衬底上分立的鳍部；在衬底上形成隔离结构，隔离结构顶部低于鳍部顶部；形成横跨鳍部的伪栅结构，伪栅结构覆盖鳍部的部分侧壁和顶部表面，伪栅结构包括栅氧化层以及位于栅氧化层上的栅极层，栅极层还覆盖部分所述隔离结构；去除栅极层，露出隔离结构；去除栅极层后在隔离结构上形成保护层；形成保护层后去除栅氧化层；去除栅氧化层后形成横跨鳍部的高k栅介质层，高k栅介质层覆盖鳍部的部分侧壁和顶部。在去除栅氧化层的过程中，保护层对隔离结构起到保护作用，避免隔离结构发生刻蚀损耗，从而有利于避免短沟道效应的恶化。

主权项

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底以及位于所述衬底上分立的鳍部；在所述衬底上形成隔离结构，所述隔离结构的顶部低于所述鳍部的顶部；形成横跨所述鳍部的伪栅结构，所述伪栅结构覆盖所述鳍部的部分侧壁和顶部表面，所述伪栅结构包括栅氧化层以及位于所述栅氧化层上的栅极层，所述栅极层还覆盖部分所述隔离结构；去除所述栅极层，露出所述隔离结构；去除所述栅极层后，在所述隔离结构上形成保护层；形成所述保护层后，去除所述栅氧化层；去除所述栅氧化层后，形成横跨所述鳍部的高k栅介质层，所述高k栅介质层覆盖所述鳍部的部分侧壁和顶部。