[发明专利]铟镓锌氧化物薄膜晶体管的制作方法在审
申请号: | 201710418690.6 | 申请日: | 2017-06-06 |
公开(公告)号: | CN107293493A | 公开(公告)日: | 2017-10-24 |
发明(设计)人: | 李松杉 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/34 | 分类号: | H01L21/34;H01L29/08;H01L29/24 |
代理公司: | 北京聿宏知识产权代理有限公司11372 | 代理人: | 吴大建,王浩 |
地址: | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及铟镓锌氧化物薄膜晶体管的制作方法,包括将缓冲层、有源层、栅电极层和栅极绝缘层依次构造在基板上并做图形化处理;通过溅射的方式在处理后的缓冲层、有源层、栅电极层和栅极绝缘层上沉积透明绝缘金属氧化物层,将透明绝缘金属氧化物层进行退火处理,使薄膜晶体管电性得到改善。在透明绝缘金属氧化物层上沉积一层介电层,并利用黄光和干蚀刻工艺将介电层和透明绝缘金属氧化物层做图形化处理。通过溅射的方式沉积一层很薄的透明绝缘金属氧化物层,再进行退火处理,在利用后续的退火处理,将铝向铟镓锌氧化物半导体层表面扩散,同样可以达到源漏极接触区域导体化的结果,而且阻抗不会恢复增大,从而大幅度改善薄膜晶体管的电性。 | ||
搜索关键词: | 铟镓锌 氧化物 薄膜晶体管 制作方法 | ||
【主权项】:
铟镓锌氧化物薄膜晶体管的制作方法,其特征在于,该方法包括:步骤S101:将缓冲层、有源层、栅电极层和栅极绝缘层依次构造在基板上并做图形化处理;步骤S102:通过溅射的方式在处理后的所述缓冲层、有源层、所述栅电极层和所述栅极绝缘层上沉积透明绝缘金属氧化物层,将所述透明绝缘金属氧化物层进行退火处理,使薄膜晶体管电性得到改善;步骤S103:在所述透明绝缘金属氧化物层上沉积一层介电层,并利用黄光和干蚀刻工艺将所述介电层和所述透明绝缘金属氧化物层做图形化处理;步骤S104:将源漏极电极沉积在所述介电层上并图形化处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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