[发明专利]一种太阳能电池及其制备方法有效
| 申请号： | 201710418702.5 | 申请日： | 2017-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN107017317B | 公开（公告）日： | 2019-01-29 |
| 发明（设计）人： | 侯玥玥;金井升;张昕宇;金浩;黄纪德 | 申请（专利权）人： | 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/068;H01L31/0216 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 314416 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种太阳能电池及其制备方法，其中，所述太阳能电池的制备方法利用等离子体处理氨气的方式对硅衬底进行氢钝化，氨气在等离子体处理过程中产生的氢离子与所述太阳能电池的硅衬底中的缺陷或杂质反映，起到钝化的效果，从而提升了太阳能电池的光电转换效率；并且氨气非易燃易爆气体，避免了氢钝化过程总易燃易爆气体参与而造成危险的可能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括：提供硅衬底；对所述硅衬底进行扩散处理，形成PN结；抽空所述硅衬底所在炉管内的气体，并通入氨气进行预通气，预通气过程的工艺参数为：温度400℃‑600℃，包括端点值；氨气流量为5000‑9000sccm，包括端点值；压力为1500mTor‑3500mTor，包括端点值；预通气时间的取值范围为10s‑30s，包括端点值；利用氨气对形成PN结的硅衬底进行等离子体处理；在经过等离子体处理后的硅衬底上表面和下表面分别形成正面电极和背电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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