[发明专利]静态随机存取存储电路及存储器在审
| 申请号： | 201710422183.X | 申请日： | 2017-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN109003639A | 公开（公告）日： | 2018-12-14 |
| 发明（设计）人： | 王颖倩 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/419 | 分类号： | G11C11/419 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 郭学秀;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种静态随机存取存储电路及存储器，所述静态随机存取存储电路包括：存储单元，适于存储对应的数据信息；写入单元，适于在所述存储单元处于写入选中状态时，将相应的数据信息写入所述存储单元；在所述存储单元处于写入半选中状态时，禁止向所述存储单元中写入数据；读取单元，适于读取所述存储单元中存储的数据信息。上述的方案，可以消除SRAM电路的写干扰，提升SRAM电路的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 存储单元 随机存取存储电路 数据信息 写入 选中状态 存储器 存储 读取 读取单元 写入单元 写入数据 | ||
【主权项】：
1.一种静态随机存取存储电路，其特征在于，包括：存储单元，适于存储对应的数据信息；写入单元，适于在所述存储单元处于写入选中状态时，将相应的数据信息写入所述存储单元；在所述存储单元处于写入半选中状态时，禁止向所述存储单元中写入数据；读取单元，适于读取所述存储单元中存储的数据信息。
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