[发明专利]半导体装置的形成方法有效
| 申请号： | 201710422448.6 | 申请日： | 2017-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN108231585B | 公开（公告）日： | 2022-12-09 |
| 发明（设计）人： | 王喻生;洪奇成;李家庆;吴仲强;苏庆煌 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28;H01L29/423 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 冯志云;王芝艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 半导体装置的形成方法包括：形成自基板凸起的第一半导体鳍状物，以及形成栅极堆叠于第一半导体鳍状物上。形成栅极堆叠的步骤包括：沉积栅极介电层于第一半导体鳍状物上，沉积第一籽晶层于栅极介电层上，沉积第二籽晶层于第一籽晶层上，其中第二籽晶层的结构与第一籽晶层的结构不同，以及沉积导电层于第二籽晶层上，其中第一籽晶层、第二籽晶层、与导电层包含相同的导电材料。方法亦包括形成与栅极堆叠相邻的源极与漏极区。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的形成方法，包括：形成自一基板凸起的一第一半导体鳍状物；形成一栅极堆叠于该第一半导体鳍状物上，其中形成该栅极堆叠的步骤包括：沉积一栅极介电层于该第一半导体鳍状物上；沉积一第一籽晶层于该栅极介电层上；沉积一第二籽晶层于该第一籽晶层上，其中该第二籽晶层的结构与该第一籽晶层的结构不同；以及沉积一导电层于该第二籽晶层上，其中该第一籽晶层、该第二籽晶层、与该导电层包含相同的导电材料；以及形成与该栅极堆叠相邻的源极与漏极区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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