[发明专利]一种大半径离子Cd2+掺杂LiREF4上转换纳米发光材料及其制备方法在审
申请号: | 201710422565.2 | 申请日: | 2017-06-07 |
公开(公告)号: | CN107286938A | 公开(公告)日: | 2017-10-24 |
发明(设计)人: | 王友法;朱亦茹;赵书文;王若星 | 申请(专利权)人: | 武汉理工大学 |
主分类号: | C09K11/85 | 分类号: | C09K11/85;B82Y30/00;B82Y40/00 |
代理公司: | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司42102 | 代理人: | 崔友明,闭钊 |
地址: | 430070 湖*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明首次公开了一种大半径离子Cd2+掺杂LiREF4上转换纳米发光材料及其制备方法,该材料的化学表达式为LiRE10.78‑xF420%Yb,2%RE2,xCd,其中x的取值在0~78%之间,RE1为基质离子(Y3+、Gd3+或Lu3+),RE2为激活离子(Er3+、Tm3+、Ho3+或Nd3+)。本发明得到的上转换荧光材料具有高度分散、大小均一、物相纯度高、发光强度高等特性,在三维立体显示、激光防伪技术、太阳能电池、生物医学等很多领域具有潜在的应用价值。 | ||
搜索关键词: | 一种 半径 离子 cd2 掺杂 liref4 转换 纳米 发光 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种大半径离子Cd2+掺杂LiREF4上转换纳米发光材料,其特征在于,其化学表达式为LiRE10.78‑xF4:20%Yb,2%RE2,xCd,其中RE1为基质离子,选自Y3+、Gd3+、Lu3+中的一种;RE2为激活离子,选自Er3+、Tm3+、Ho3+、Nd3+中的一种;x为Cd2+取代基质离子的物质量百分比,x的取值在0~78%之间。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉理工大学,未经武汉理工大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710422565.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一维稀土纳米材料的制备方法
- 下一篇:一种半导体芯片用镍银腐蚀液