[发明专利]一种能避免超薄芯片碎裂的吸取方法在审
申请号: | 201710426492.4 | 申请日: | 2017-06-08 |
公开(公告)号: | CN107369642A | 公开(公告)日: | 2017-11-21 |
发明(设计)人: | 周木火 | 申请(专利权)人: | 太极半导体(苏州)有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/687 |
代理公司: | 苏州铭浩知识产权代理事务所(普通合伙)32246 | 代理人: | 朱斌兵 |
地址: | 215000 江苏省苏州市工*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种能避免超薄芯片碎裂的吸取方法,包括如下步骤第一步将带有粘膜的芯片放置到吸取平台上,利用真空孔将粘膜下端吸附,同时芯片上端利用平面吸嘴吸附;第二步第一顶针平台将芯片顶起,使得位于第一顶针平台四周的粘膜和芯片分离;第三步第二顶针平台将芯片顶起,使得位于第二顶针平台四周的粘膜和芯片分离;第四步第三顶针平台将芯片顶起,使得位于第三顶针平台上方的粘膜和芯片分离;第五步最后利用平面吸嘴将芯片从粘膜上拾取并放置到支架上,本发明使用三段式平台顶针座及平面吸嘴相配合对超薄芯片进行吸取,多段式平台顶针分三段将粘膜上的芯片顶起,使芯片和粘膜逐渐脱离,可有效减少粘膜对芯片的粘性。 | ||
搜索关键词: | 一种 避免 超薄 芯片 碎裂 吸取 方法 | ||
【主权项】:
一种能避免超薄芯片碎裂的吸取方法,其特征在于:包括如下步骤:第一步:将带有粘膜的芯片放置到吸取平台上,利用吸取平台上的真空孔将粘膜下端吸附,同时芯片上端利用平面吸嘴吸附;第二步:三段式顶针平台内的升降杆开启,通过上底座带动第一顶针平台、第二顶针平台和第三顶针平台同时往上移动,第一顶针平台将芯片顶起,使得位于第一顶针平台四周的粘膜和芯片进行分离;第三步:三段式顶针平台内的第一顶杆往上移动,第一顶杆驱动第二顶针平台和第三顶针平台同时往上移动,第二顶针平台将芯片顶起,使得位于第二顶针平台四周的粘膜和芯片进行分离;第四步:三段式顶针平台内的第二顶杆往上移动,第二顶杆驱动第三顶针平台往上移动,第三顶针平台将芯片顶起,使得位于第三顶针平台上方的粘膜和芯片分离;第五步:利用平面吸嘴将芯片从粘膜上拾取并放置到支架上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造