[发明专利]湿法蚀刻设备有效
| 申请号： | 201710433932.9 | 申请日： | 2017-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN107316826B | 公开（公告）日： | 2020-01-31 |
| 发明（设计）人： | 尹易彪 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 44265 深圳市德力知识产权代理事务所 | 代理人： | 林才桂 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种湿法蚀刻设备，包括用于承载基板的承载台、设于所述承载台上方用于向基板表面喷淋蚀刻液的喷淋管、设于所述承载台与喷淋管之间用于向基板表面涂布蚀刻液的液刀、以及设于所述承载台下方用于容纳蚀刻液和基板的蚀刻槽；从而将喷淋、浸泡及涂布三种蚀刻模式集成在同一个蚀刻单元当中，缩减了机台结构，减少了机台的占地空间，降低了维护保养的成本和时间，并且蚀刻过程中基板置于承载台上随承载台一起移动，而不需要单独对基板进行传送，蚀刻过程更加稳定，从而减少了mura产生。 | ||
| 搜索关键词： | 湿法 蚀刻 设备 | ||
【主权项】：
1.一种湿法蚀刻设备，其特征在于，包括用于承载基板(50)的承载台(10)、设于所述承载台(10)上方用于向基板(50)表面喷淋蚀刻液的喷淋管(20)、设于所述承载台(10)与喷淋管(20)之间用于向基板(50)表面涂布蚀刻液的液刀(30)、以及设于所述承载台(10)下方用于容纳蚀刻液和基板(50)的蚀刻槽(40)；/n还包括设于所述承载台(10)上方用于将基板(50)固定在承载台(10)上的固定夹(15)；/n所述喷淋管(20)向基板(50)表面喷淋蚀刻液时，所述承载台(10)带动基板(50)一起沿水平方向来回移动。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
