[发明专利]半导体装置结构在审
| 申请号： | 201710438836.3 | 申请日： | 2017-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN107622994A | 公开（公告）日： | 2018-01-23 |
| 发明（设计）人： | 张守仁;普翰屏;黄启铭;潘信瑜;吴凯强;许森贵;万厚德 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/58 | 分类号： | H01L23/58 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司72003 | 代理人： | 冯志云,王芝艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体装置结构包括一第一装置。半导体装置结构包括一导电部件位于第一装置上方。半导体装置结构包括一导电遮蔽层位于第一装置与导电部件之间。导电遮蔽层具有多个开口，且开口的最大宽度小于第一装置所产生的能量的波长。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 结构 | ||
【主权项】：
一种半导体装置结构，包括︰一第一装置；一导电部件，位于该第一装置上方；以及一导电遮蔽层，位于该第一装置与该导电部件之间，其中该导电遮蔽层具有多个开口穿过其中，且该等开口的最大宽度小于该第一装置所产生的能量的波长。
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