[发明专利]半导体激光装置有效
| 申请号： | 201710445659.1 | 申请日： | 2017-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN108233178B | 公开（公告）日： | 2020-05-08 |
| 发明（设计）人： | 邱舒伟;马英杰;林蔚 | 申请（专利权）人： | 联亚光电工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/32 | 分类号： | H01S5/32 |
| 代理公司： | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人： | 翟羽 |
| 地址： | 中国台湾台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体激光装置，其包含依序设置的基板、第一型披覆层、第一型波导层、有源层、第二型波导层、第二型披覆层及一封盖层。所述有源层包含发光部及出光部，其中所述发光部用以产生激光，所述激光沿着从所述发光部朝向所述出光部的方向发射，且所述出光部包括第一被动区域、出光区域及第二被动区域，其中所述出光区域的折射率低于所述第一被动区域的折射率，且所述出光区域的折射率低于所述第二被动区域的折射率，且所述出光区域的一部分的宽度是沿着所述方向而连续性增加。本发明的半导体激光装置所发出的激光光束具有较小的远场的垂直光束发散角及水平光束发散角，故与光纤耦合时，可具有优选耦合效率，且大致上不影响光输出效率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 激光 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体激光装置，其特征在于：所述半导体激光装置包含：一基板；一第一型披覆层，设于所述基板上；一第一型波导层，设于所述第一型披覆层上；一有源层，设于所述第一型波导层上，且包含彼此相邻的一发光部及一出光部，其中所述发光部用以产生一激光，所述激光沿着从所述发光部朝向所述出光部的一方向发射，且所述出光部包括一第一被动区域、一出光区域及一第二被动区域，其中所述出光区域设在所述第一被动区域及所述第二被动区域之间，所述出光区域的折射率低于所述第一被动区域的折射率，且所述出光区域的折射率低于所述第二被动区域的折射率，且所述出光区域的一部分的一宽度是沿着所述方向而连续性增加；一第二型波导层，设于所述有源层上；一第二型披覆层，设于所述第二型波导层上；及一封盖层，设于所述第二型披覆层上。
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