[发明专利]铁电场效应晶体管、铁电内存与数据读写方法及制造方法

摘要

本案提供一种铁电场效应晶体管。在此铁电场效应晶体管中，依序设置半导体基底、介电层、极性保存区及导体层。极性保存区则包括了一层铁电层以及一层反铁电层。藉由铁电层的电耦切换，可以加快内存的操作速度。本案也提供一种铁电内存以及铁电内存的数据写入方法、数据读取方法及制造方法。

主权项

1.一种铁电场效应晶体管，其特征在于，该铁电场效应晶体管包括：一半导体基底，具有一上表面，该半导体基底由半导体材料制成，并掺杂有一第一型导电材料；一第一掺杂区，形成于该半导体基底中，该第一掺杂区掺杂有一第二型导电材料；一第二掺杂区，形成于该半导体基底中并与该第一掺杂区分离，该第二掺杂区掺杂有该第二型导电材料；一介电层，设置于该上表面之上，该介电层接触该上表面并覆盖至少部分的该第一掺杂区及至少部分的该第二掺杂区；一极性保存区，与该半导体基底设置于该介电层的相对两侧，该极性保存区包括一铁电层以及一反铁电层；以及一导体层，与该介电层设置于该极性保存区的相对两侧。