[发明专利]一种制备大面积均匀单层过渡金属硫属化合物的方法有效
| 申请号： | 201710451548.1 | 申请日： | 2017-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN107445488B | 公开（公告）日： | 2020-06-16 |
| 发明（设计）人： | 张艳锋;杨鹏飞;张哲朋 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | C03C17/22 | 分类号： | C03C17/22;C01G39/06;C01G41/00 |
| 代理公司： | 北京方安思达知识产权代理有限公司 11472 | 代理人： | 陈琳琳;武玥 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制备大面积均匀单层过渡金属硫属化合物的方法，所述方法包括以下步骤：1)将基底进行清洗；2)在盛放基底的石墨舟上方放置与基底尺寸相同的钼箔或钨箔，在相对于基底的气流上游放置硫属单质；3)去除反应腔残留的空气，通入氩气，待气流稳定后，将硫属单质和基底分别加热至不同温度，之后恒温，在基底上生长得到大面积均匀的单层过渡金属硫属化合物。本发明利用钼箔或钨箔作为前驱体，避免了使用过渡金属氧化物作为前驱体时样品的不均匀、尺寸小等缺点，是一种能够实现均匀地制备大面积、高质量过渡金属硫属化合物的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 大面积 均匀 单层 过渡 金属 化合物 方法 | ||
【主权项】：
一种制备大面积均匀单层过渡金属硫属化合物的方法，所述方法包括以下步骤：1)将基底进行清洗；2)在盛放基底的石墨舟上方放置与基底尺寸相同的钼箔或钨箔，在相对于基底的气流上游放置硫属单质；3)去除反应腔残留的空气，通入氩气，待气流稳定后，将硫属单质和基底分别加热至不同温度，之后恒温，在基底上生长得到大面积均匀的单层过渡金属硫属化合物。
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