[发明专利]用于介电阻隔层的衬垫层有效
| 申请号： | 201710451697.8 | 申请日： | 2017-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN107527996B | 公开（公告）日： | 2021-06-01 |
| 发明（设计）人： | S·纳拉亚南;Z·古;N·瓦斯克斯 | 申请（专利权）人： | 科洛斯巴股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明关于一种用于介电阻隔层的衬垫层。可在介电材料内部分形成二端记忆体装置，该介电材料呈电气绝缘且操作为使运用于集成电路制造中金属粒子扩散缓和的阻隔层。此介电材料可通过含硅衬垫保护而免因对介电材料具有侵蚀性的其它制造程序(例如：CMP、HF清洁等)而受到影响。使用含硅衬垫可使待保留的介电材料的厚度极小，并且可促使形成二端记忆体装置的相邻材料表面之间的阶梯高度差达到小于约五埃的等级。此小阶梯高度差可产生优异的切换特性，当下伏于二端记忆体装置的切换层时尤其如此。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 电阻 隔层 衬垫 | ||
【主权项】：
一种方法，其包含：形成上覆于集成电路装置的金属层的阻隔层，其中，该阻隔层包含使该金属层的粒子扩散缓和的介电材料；形成上覆于该阻隔层并且包括含硅材料的衬垫层；在使该金属层曝露的该阻隔层中形成贯孔；以及在该贯孔中形成导电材料。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于科洛斯巴股份有限公司，未经科洛斯巴股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710451697.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种磁性隧道结双层侧墙及其形成方法
- 下一篇：具有弯曲区域的显示设备
