[发明专利]一种基于背栅效应与沟道长度调制效应的失调自校正运放有效
申请号: | 201710452912.6 | 申请日: | 2017-06-15 |
公开(公告)号: | CN107370463B | 公开(公告)日: | 2023-09-01 |
发明(设计)人: | 王红义;陈晨;朱奥麟;周罡;曹灿 | 申请(专利权)人: | 西安华泰半导体科技有限公司 |
主分类号: | H03F1/26 | 分类号: | H03F1/26;H03F3/45 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人: | 徐文权 |
地址: | 710065 陕西省西安市高*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 一种基于背栅效应与沟道长度调制效应的失调自校正运放,包括运算放大器模块、比较器模块、控制逻辑单元、逻辑校准单元、可编程电阻和四位DAC模块;比较器模块同相端接运算放大器模块的输出电压VOUT,反相端接VDD/2;比较器模块的输出端连接逻辑控制单元的输入端,逻辑控制单元的输出端连接逻辑校准单元;逻辑校准单元连接四位DAC模块,四位DAC模块连接运算放大器模块;逻辑校准单元和运算放大器模块之间还设置有可编程电阻。本发明校准失调的过程分为粗调和细调两个过程:利用电流镜的衬底偏置效应进行粗调,利用输入管的衬底偏置效应进行细调,有效的提高了精度。 | ||
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【主权项】:
一种基于背栅效应与沟道长度调制效应的失调自校正运放,其特征在于,包括运算放大器模块、比较器模块、控制逻辑单元、逻辑校准单元、可编程电阻和四位DAC模块;比较器模块同相端接运算放大器模块的输出电压VOUT,反相端接VDD/2;比较器模块的输出端连接逻辑控制单元的输入端,逻辑控制单元的输出端连接逻辑校准单元;逻辑校准单元连接四位DAC模块,四位DAC模块连接运算放大器模块;逻辑校准单元和运算放大器模块之间还设置有可编程电阻。
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