[发明专利]底栅型TFT基板的制作方法

摘要

本发明提供一种底栅型TFT基板的制作方法，在栅极金属层上形成第一蚀刻阻挡层，在源漏极金属层上形成第二蚀刻阻挡层，然后在栅极金属层上方及源漏极金属层上方分别形成过孔时，先采用第一蚀刻气体蚀刻到第一蚀刻阻挡层、及第二蚀刻阻挡层上，对应在栅极金属层上方及源漏极金属层上方分别形成第一初级过孔及第二初级过孔，再采用第二蚀刻气体同时对第一初级过孔下方第一蚀刻阻挡层、及第二初级过孔下方的第二蚀刻阻挡层进行蚀刻，由于第一蚀刻阻挡层与第二蚀刻阻挡层为相同的材料及厚度，因此可同时被刻穿，从而同步在栅极金属层上方形成第一过孔、在源漏极金属层上方形成第二过孔，避免源漏极金属层被严重过刻而影响源漏极接触电阻和线路连接。

主权项

1.一种底栅型TFT基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：/n步骤S1、提供一基板(1)，在基板(1)上依次沉积第一金属层(20)、第一绝缘氧化物层(30)，对第一绝缘氧化物层(30)及第一金属层(20)进行图案化处理，由第一金属层(20)得到栅极金属层(2)，由第一绝缘氧化物层(30)得到与所述栅极金属层(2)相同图案形状的第一蚀刻阻挡层(3)；/n步骤S2、在所述第一蚀刻阻挡层(3)及基板(1)上沉积栅极绝缘层(4)，在所述栅极绝缘层(4)上沉积并图案化形成有源层(5)；/n步骤S3、在所述有源层(5)及栅极绝缘层(4)上依次沉积第二金属层(60)、以及与所述第一绝缘氧化物层(30)相同材料及厚度的第二绝缘氧化物层(70)，对第二绝缘氧化物层(70)及第二金属层(60)进行图案化处理，由第二金属层(60)得到源漏极金属层(6)，由第二绝缘氧化物层(70)得到与所述源漏极金属层(6)相同图案形状的第二蚀刻阻挡层(7)；/n步骤S4、在所述第二蚀刻阻挡层(7)与栅极绝缘层(4)上沉积钝化保护层(8)，在钝化保护层(8)上形成光阻图案，以光阻图案为遮蔽层，采用第一蚀刻气体对钝化保护层(8)及栅极绝缘层(4)进行干法蚀刻，蚀刻过程中，所述第一蚀刻气体在栅极金属层(2)上方刻穿钝化保护层(8)及栅极绝缘层(4)而露出第一蚀刻阻挡层(3)的表面，形成第一初级过孔(85’)，同时所述第一蚀刻气体在所述源漏极金属层(6)上方刻穿钝化保护层(8)而露出第二蚀刻阻挡层(7)的表面，形成第二初级过孔(86’)，停止此次干法蚀刻；/n步骤S5、采用第二蚀刻气体对第一蚀刻阻挡层(3)及第二蚀刻阻挡层(7)进行干法蚀刻，蚀刻过程中，所述第二蚀刻气体将第一初级过孔(85’)下方的第一蚀刻阻挡层(3)刻掉而露出栅极金属层(2)的表面，形成贯穿钝化保护层(8)、栅极绝缘层(4)、及第一蚀刻阻挡层(3)的第一过孔(85)，同时所述第二蚀刻气体将第二初级过孔(86’)下方的第二蚀刻阻挡层(7)刻掉而露出源漏极金属层(6)的表面，形成贯穿钝化保护层(8)、及第二蚀刻阻挡层(7)的第二过孔(86)；/n步骤S6、在所述钝化保护层(8)上沉积并图案化形成透明导电层(9)，所述透明导电层(9)经由所述第一过孔(85)与栅极金属层(2)相连接，所述透明导电层(9)经由所述第二过孔(86)与源漏极金属层(6)相连接；/n所述步骤S4中所使用的第一蚀刻气体对第一蚀刻阻挡层(3)及第二蚀刻阻挡层(7)的蚀刻速率小于对栅极绝缘层(4)及钝化保护层(8)的蚀刻速率。/n