[发明专利]一种片上嵌入式Flash的内建自测试结构

摘要

本发明提供了一种片上嵌入式Flash的内建自测试结构，包括自定义控制模块、FBIST控制器、ERASE模块和BYPASS模块，当FBIST控制器使能后，FBIST控制器发起操作，依据内部控制器状态机与自定义控制模块和ERASE模块的相互配合，实现对其地址、读写的序列操作和擦除切换，并将读出结果与片上比较器进行测试结果比对，输出结果表征信号，测试结束时，测试完成标识跳高；实现了对FLASH的内部访问以及测试结果比较，外部仅需一个测试启动信号和控制器时钟信号，在测试结束后通过测试完成标志位与测试失效标志位表征测试结果，可以掌握FLASH的失效地址、算法执行状态、读写状态以及输出数据信息，从而为进一步的故障定位提供依据，实现芯片级或系统级嵌入式FLASH的内建自测试。

主权项

一种片上嵌入式Flash的内建自测试结构，其特征在于：包括自定义控制模块、FBIST控制器、ERASE模块和BYPASS模块；自定义控制模块用于擦除操作和读写操作的状态控制与调度；FBIST控制器为读写操作的算法实现电路，FLASH的读出数据通过FBIST控制器内部比较器与期望值进行自动比对，FBIST控制器读写操作的执行受控于自定义控制模块，通过测试流程控制实现对控制信号的接收、停止或唤醒算法执行以及擦除操作的执行；ERASE模块在自定义控制模块的调度下负责控制FLASH的擦除操作；BYPASS模块用于实现电路全扫描测试模式下的FLASH旁路功能；当FBIST控制器使能后，FBIST控制器发起操作，依据内部控制器状态机与自定义控制模块和ERASE模块的相互配合，实现对其地址、读写的序列操作和擦除切换，并将读出结果与片上比较器进行测试结果比对，输出结果表征信号，测试结束时，测试完成标识跳高。