[发明专利]半导体封装件的制造方法有效
| 申请号： | 201710456829.6 | 申请日： | 2017-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN107527825B | 公开（公告）日： | 2022-04-05 |
| 发明（设计）人： | 町田纮一;北野一彦 | 申请（专利权）人： | 安靠科技日本公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京寰华知识产权代理有限公司 11408 | 代理人： | 林柳岑 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供高成品率的半导体封装件的制造方法。半导体封装件的制造方法包括如下步骤：对包含至少一种金属且具有第一面和与所述第一面对置的第二面的基材的所述第一面及位于所述第一面与所述第二面之间的侧面部进行蚀刻，且在所述第一面及所述侧面部附着与所述金属不同的其他金属；在所述基材的所述第二面配置包括外部端子的半导体装置，使得所述外部端子不与所述第二面对置；形成用于覆盖所述半导体装置的树脂绝缘层；在所述树脂绝缘层上形成第一导电层；在所述第一导电层和所述树脂绝缘层形成用于使所述半导体装置的所述外部端子露出的开口部；以及在所述基材的所述第一面和侧面部、所述第一导电层上及所述开口部内形成镀层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体封装件的制造方法，包括如下步骤：对包含至少一种金属且具有第一面和与所述第一面对置的第二面的基材的所述第一面及位于所述第一面与所述第二面之间的侧面部进行蚀刻，且在所述第一面及所述侧面部附着与所述金属不同的其他金属；在所述基材的所述第二面配置包括外部端子的半导体装置，使得所述外部端子不与所述第二面对置；形成用于覆盖所述半导体装置的树脂绝缘层；在所述树脂绝缘层上形成第一导电层；在所述第一导电层和所述树脂绝缘层形成用于使所述半导体装置的所述外部端子露出的开口部；以及在所述基材的所述第一面和所述侧面部、所述第一导电层上以及所述开口部内形成镀层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
