[发明专利]半导体元件的制造方法、半导体元件有效
| 申请号： | 201710457276.6 | 申请日： | 2017-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN107528215B | 公开（公告）日： | 2019-11-08 |
| 发明（设计）人： | 土屋裕彰;山口晴央;中井荣治 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/323 | 分类号： | H01S5/323 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的在于，提供能够无不良影响地抑制n连接的半导体元件的制造方法和通过该方法制造的半导体元件。具备下述工序：台面部形成工序，形成台面部，该台面部在衬底的上方具有p型层、该p型层的上方的有源层及该有源层的上方的n型层；电流限制部形成工序，形成电流限制部，该电流限制部在该台面部的左右具有p型电流阻挡层、该p型电流阻挡层的上方的n型电流阻挡层及该n型电流阻挡层的上方的i型或p型的电流阻挡层；以及p型化工序，对该i型或p型的电流阻挡层、该n型电流阻挡层的上侧的部分及该n型层的左右的部分进行p型杂质的气相扩散或固相扩散，使该n型电流阻挡层的上侧的部分和该n型层的左右的部分成为p型半导体。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体元件的制造方法，其特征在于，具备下述工序：台面部形成工序，形成台面部，该台面部在衬底的上方具有p型层、所述p型层的上方的有源层、以及所述有源层的上方的n型层；电流限制部形成工序，形成电流限制部，该电流限制部在所述台面部的左右具有p型电流阻挡层、所述p型电流阻挡层的上方的n型电流阻挡层、以及所述n型电流阻挡层的上方的i型或p型的电流阻挡层；以及p型化工序，对所述i型或p型的电流阻挡层、所述n型电流阻挡层的上侧的部分、以及所述n型层的左右的部分进行p型杂质的气相扩散或固相扩散，使所述n型电流阻挡层的上侧的部分和所述n型层的左右的部分成为p型半导体。
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