[发明专利]一种半导体器件及其制作方法、电子装置

摘要

本发明提供一种半导体器件及其制作方法、电子装置，该制作方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括闪存区域，在所述闪存区域的半导体衬底上形成浮栅材料层和位于所述浮栅材料层之上的隔离材料层；形成覆盖所述半导体衬底和所述隔离材料层的栅极材料层；在所述栅极材料层中形成隔离层窗口，以暴露下方的隔离材料层；图形化所述闪存区域的所述栅极材料层、所述隔离材料层和所述浮栅材料层，以形成选择栅堆叠结构；去除所述第一隔离层位于所述隔离层窗口底部的部分，以暴露所述隔离层窗口下方的第一浮栅。该制作方法可以改善多晶硅电阻和均匀性，使器件性能更接近目标性能，并且降低了器件的制作成本。该半导体器件和电子装置具有类似的优点。

主权项

1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括闪存区域，在所述闪存区域的半导体衬底上形成浮栅材料层和位于所述浮栅材料层之上的隔离材料层；形成覆盖所述半导体衬底和所述隔离材料层的栅极材料层；在所述栅极材料层中形成隔离层窗口，以暴露下方的隔离材料层；图形化所述闪存区域的所述栅极材料层、所述隔离材料层和所述浮栅材料层，以形成选择栅堆叠结构，所述选择栅堆叠结构包括位于所述半导体衬底之上的第一浮栅、位于所述第一浮栅之上的第一隔离层和位于所述第一隔离层之上的选择栅，以及形成在所述选择栅中的所述隔离层窗口；去除所述第一隔离层位于所述隔离层窗口底部的部分，以暴露所述隔离层窗口下方的所述第一浮栅。