[发明专利]一种具有优异光敏性能In2S3薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 201710462199.3 | 申请日： | 2017-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN107267942A | 公开（公告）日： | 2017-10-20 |
| 发明（设计）人： | 余洲;郭涛;闫勇;赵勇 | 申请（专利权）人： | 西南交通大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/06 |
| 代理公司： | 成都宏顺专利代理事务所(普通合伙)51227 | 代理人： | 周永宏 |
| 地址： | 610031 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有优异光敏性能In2S3薄膜的制备方法，包括以下步骤S1基片预处理将基片清洗干净后吹干，并置于磁控溅射腔室内，备用；S2预溅射在磁控溅射仪靶枪上安装In2S3靶材，铟硫原子比为23，对磁控溅射腔室抽真空后再通入氩气，衬底温度为室温，挡板遮住衬底，开始预溅射以除去In2S3靶材表面的污染物；S3溅射沉积In2S3薄膜经步骤S2处理后，移开挡板，设置溅射功率为4～5W/㎝2，溅射气压为0.8～1.2Pa，在基片进行溅射沉积，溅射时间为60～300s，获得In2S3薄膜。该制备方法操作简单、薄膜厚度均匀可控、重复性好、沉积速度快、制备成本低、效率高，适合工业化大规模生产，值得在业内推广。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 优异 光敏 性能 in2s3 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种具有优异光敏性能In2S3薄膜的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：S1：基片预处理：将基片清洗干净后吹干，并置于磁控溅射腔室内，备用；S2：预溅射：在磁控溅射仪靶枪上安装In2S3靶材，铟硫原子比为2：3，对磁控溅射腔室抽真空后再通入氩气，衬底温度为室温，挡板遮住衬底，设置溅射气压为2～3Pa，开启电源起辉，待辉光稳定后，开始预溅射以除去In2S3靶材表面的污染物；S3：溅射沉积In2S3薄膜：经步骤S2处理后，移开挡板，设置溅射功率为4～5W/㎝2，溅射气压为0.8～1.2Pa，在基片进行溅射沉积，溅射时间为60～300s，获得In2S3薄膜。
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