[发明专利]一种沟槽结势垒肖特基二极管及其制作方法有效
| 申请号： | 201710463915.X | 申请日： | 2017-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN107331616B | 公开（公告）日： | 2020-03-06 |
| 发明（设计）人： | 董升旭;汤益丹;白云;申华军;杨成樾 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L29/872 |
| 代理公司： | 北京兰亭信通知识产权代理有限公司 11667 | 代理人： | 赵永刚 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种沟槽结势垒肖特基二极管的制作方法，其中包括：步骤一、提供用于制作器件的衬底，并且在衬底正面生长外延层；步骤二、在外延层上制作场限环区和预备主结区，预备主结区用于提供第一离子注入；步骤三、在除场限环区以外的外延层上刻蚀结势垒凹槽，其中在预备主结区刻蚀主结凹槽，并对结势垒凹槽和主结凹槽进行第二离子注入；步骤四、在衬底背面制作欧姆接触；步骤五、在器件正面制作钝化层和肖特基接触；步骤六、在器件正面制作金属电极并进行钝化。本发明还提供一种沟槽结势垒肖特基二极管。本发明能够在有效屏蔽肖特基表面电场的同时降低主结电场聚集效应，纵向增加主结面积，提升耐压特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 结势垒肖特基 二极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种沟槽结势垒肖特基二极管的制作方法，其特征在于，包括：步骤一、提供用于制作器件的衬底，并且在所述衬底正面生长外延层；步骤二、在所述外延层上制作场限环区和预备主结区，所述预备主结区用于提供第一离子注入；步骤三、在除所述场限环区以外的所述外延层上刻蚀结势垒凹槽，其中在所述预备主结区刻蚀主结凹槽，并对所述结势垒凹槽和所述主结凹槽进行第二离子注入；步骤四、在所述衬底背面制作欧姆接触；步骤五、在所述器件正面制作钝化层和肖特基接触；步骤六、在所述器件正面制作金属电极并进行钝化。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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