[发明专利]接触开口及其形成方法有效
| 申请号： | 201710464039.2 | 申请日： | 2017-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN108122743B | 公开（公告）日： | 2020-07-03 |
| 发明（设计）人： | 萧寒稊;孙志鸿;邱意为;王冠程;蔡释严;陈致宇;吴文成 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 方法包括对第一层的部分实施注入以形成注入区域，并且去除第一层的未注入部分。在去除第一层的未注入部分之后，注入区域保留。之后，对第一层下面的第二层实施蚀刻，其中，注入区域用作蚀刻中的第一蚀刻掩模的部分。去除注入区域。使用第二层蚀刻金属掩模以形成图案化的掩模。之后，蚀刻层间电介质以形成接触开口，其中，图案化的掩模用作第二蚀刻掩模。本发明的实施例还涉及接触开口及其形成方法。 | ||
| 搜索关键词： | 接触 开口 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种形成接触开口的方法，包括：对第一层的部分实施第一注入以形成第一注入区域；去除所述第一层的未注入部分，其中，在所述去除之后，所述第一注入区域保留；对所述第一层下面的第二层实施第一蚀刻，其中，所述第一注入区域用作所述第一蚀刻中的第一蚀刻掩模的部分；去除所述第一注入区域；使用所述第二层蚀刻金属掩模以形成图案化的金属掩模；以及蚀刻层间电介质以形成接触开口，其中，所述图案化的金属掩模用作第二蚀刻掩模。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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