[发明专利]半导体装置

摘要

具有第一鳍状结构与第二鳍状结构于基板上的半导体装置其形成方法包括：形成第一外延区于第一鳍状结构上；以及形成第二外延区于第二鳍状结构上。方法亦包括形成缓冲区于第一鳍状结构的第一外延区上；以及回蚀刻部份的第二外延区。缓冲区有助于避免回蚀刻步骤蚀刻第一外延区的上表面。此外，盖区形成于缓冲区与蚀刻后的第二外延区上。

主权项

一种半导体装置，包括：一鳍状结构位于一基板上，该鳍状结构包含一源极/漏极区，且该源极/漏极区包含：一第一外延区，具有一第一掺质浓度；一第二外延区，具有该第一掺质浓度；一合并外延区，位于该第一外延区与该第二外延区上，且具有一第二掺质浓度，且该第一掺质浓度不同于该第二掺质浓度；一外延缓冲区，位于该合并外延区上，且具有一第三掺质浓度，且该第三掺质浓度不同于该第一掺质浓度与该第二掺质浓度；以及一外延盖区，位于该合并外延区与该缓冲外延区上，且具有一第四掺质浓度，且该第四掺质浓度不同于该第一掺质浓度、该第二掺质浓度、与该第三掺质浓度；一介电区，位于该基板上且位于该第一外延区与该第二外延区之间；以及一置换栅极结构，位于该鳍状结构上。