[发明专利]影像辅助的置晶方法及置晶设备在审
申请号: | 201710467951.3 | 申请日: | 2017-06-20 |
公开(公告)号: | CN109103123A | 公开(公告)日: | 2018-12-28 |
发明(设计)人: | 卢彦豪 | 申请(专利权)人: | 梭特科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/68 |
代理公司: | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人: | 王洁 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明提供一种影像辅助的置晶方法,包括取晶步骤、基准影像撷取步骤、对位影像撷取步骤、计算处理步骤、校正调整步骤及置晶步骤,于基准影像撷取步骤,自影像基准构件的对向方向撷取涵盖有影像基准构件以及置晶构件吸取的晶片的基准影像,而得到影像基准构件对晶片相对位置关系信息,于对位影像撷取步骤,自影像基准构件的背向方向撷取涵盖有影像基准构件及待置晶基板的影像基准构件对基板位置关系影像,于计算处理步骤推算出置晶构件吸取的晶片位置与待置晶部位之间的位置校正关系信息,于校正调整步骤,校正调整置晶构件与待置晶部位之间的相对位置,使置晶构件吸取的晶片的位置为对准待置晶部位。 | ||
搜索关键词: | 基准构件 影像 撷取 基准影像 晶片 校正 计算处理步骤 调整步骤 对位影像 影像辅助 相对位置关系 关系信息 晶片位置 位置校正 涵盖 对基板 晶基板 对向 推算 对准 | ||
【主权项】:
1.一种影像辅助的置晶方法,用于移动置晶设备的置晶构件至待置晶基板的待置晶部位,所述的置晶设备包括置晶机构、基准影像撷取机构及对位影像撷取机构,所述的置晶机构包括所述的置晶构件及设置于所述的置晶构件外围的影像基准构件,所述的置晶方法包含:取晶步骤,利用所述的置晶构件吸取晶片;基准影像撷取步骤,利用所述的基准影像撷取机构自所述的影像基准构件的对向方向撷取涵盖有所述的影像基准构件以及所述的置晶构件吸取的所述的晶片的基准影像,而得到所述的晶片与所述的影像基准构件之间的相对位置的影像基准构件对晶片相对位置关系信息;对位影像撷取步骤,利用所述的对位影像撷取机构自所述的影像基准构件的背向方向撷取涵盖有所述的影像基准构件及待置晶基板的影像基准构件对基板位置关系影像;计算处理步骤,依据所述的影像基准构件对基板位置关系影像以及所述的影像基准构件对晶片相对位置关系信息,而推算出所述的置晶构件吸取的所述的晶片位置与所述的待置晶基板上的待置晶部位之间的位置校正关系信息;校正调整步骤,依据所述的位置校正关系信息而校正调整所述的置晶构件与所述的待置晶部位之间的相对位置,使所述的置晶构件吸取的所述的晶片的位置为对准所述的待置晶部位;以及置晶步骤,使所述的置晶构件执行置晶。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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