[发明专利]一种阵列基板及其制作方法和液晶显示面板在审
申请号: | 201710468319.0 | 申请日: | 2017-06-20 |
公开(公告)号: | CN107170763A | 公开(公告)日: | 2017-09-15 |
发明(设计)人: | 邓竹明 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1362 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙)44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种阵列基板及其制作方法和液晶显示面板。在第二金属层上铺设整面ITO层,在第二金属层的漏极对应位置处的钝化层设置有贯穿的通孔,以使得像素电极层的像素电极通过所述通孔与所述ITO层电性连接,并且所述ITO层与所述第二金属层电性连接。即本发明在传统的PSVA像素中的像素电极下方增加一层ITO层,形成新型PSVA像素,由于ITO层是整面铺设,因此沟槽部分也能与上基板ITO形成电场,使液晶倾斜,贡献此部分的透过率。因此,本发明能有效提高穿透率,并且能优化性能。 | ||
搜索关键词: | 一种 阵列 及其 制作方法 液晶显示 面板 | ||
【主权项】:
一种阵列基板的制作方法,其特征在于,所述阵列基板的制作方法包括以下步骤:提供一基板;在所述基板表面上设置第一金属层,以形成栅电极层图案;在所述第一金属层上设置绝缘层;在所述绝缘层上设置有源层,以形成有源层图案;在所述有源层上设置第二金属层,以形成源漏极层图案;铺设整层ITO层,所述ITO层与所述第二金属层的漏极电性连接;在所述ITO层上设置钝化层,以形成钝化层图案;通过蚀刻在所述漏极对应位置处形成通孔;进行像素电极层的沉积形成像素电极图案,以使得所述像素电极图案通过所述通孔与所述ITO层电性连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的