[发明专利]一种阵列基板及其制作方法和液晶显示面板在审

专利信息
申请号: 201710468319.0 申请日: 2017-06-20
公开(公告)号: CN107170763A 公开(公告)日: 2017-09-15
发明(设计)人: 邓竹明 申请(专利权)人: 深圳市华星光电技术有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1362
代理公司: 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙)44300 代理人: 黄威
地址: 518132 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种阵列基板及其制作方法和液晶显示面板。在第二金属层上铺设整面ITO层,在第二金属层的漏极对应位置处的钝化层设置有贯穿的通孔,以使得像素电极层的像素电极通过所述通孔与所述ITO层电性连接,并且所述ITO层与所述第二金属层电性连接。即本发明在传统的PSVA像素中的像素电极下方增加一层ITO层,形成新型PSVA像素,由于ITO层是整面铺设,因此沟槽部分也能与上基板ITO形成电场,使液晶倾斜,贡献此部分的透过率。因此,本发明能有效提高穿透率,并且能优化性能。
搜索关键词: 一种 阵列 及其 制作方法 液晶显示 面板
【主权项】:
一种阵列基板的制作方法,其特征在于,所述阵列基板的制作方法包括以下步骤:提供一基板;在所述基板表面上设置第一金属层,以形成栅电极层图案;在所述第一金属层上设置绝缘层;在所述绝缘层上设置有源层,以形成有源层图案;在所述有源层上设置第二金属层,以形成源漏极层图案;铺设整层ITO层,所述ITO层与所述第二金属层的漏极电性连接;在所述ITO层上设置钝化层,以形成钝化层图案;通过蚀刻在所述漏极对应位置处形成通孔;进行像素电极层的沉积形成像素电极图案,以使得所述像素电极图案通过所述通孔与所述ITO层电性连接。
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