[发明专利]半导体装置及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201710468988.8 申请日: 2017-06-20
公开(公告)号: CN107665872A 公开(公告)日: 2018-02-06
发明(设计)人: 黑田壮司;小林达也;青木隆德 申请(专利权)人: 瑞萨电子株式会社
主分类号: H01L23/488 分类号: H01L23/488;H01L23/31;H01L21/50;H01L21/56
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司11219 代理人: 李兰,孙志湧
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 提供一种半导体装置及其制造方法,该半导体装置具有改善的可靠性。半导体装置具有布线板、接合焊区、以及半导体芯片,该半导体芯片经由粘合剂层安装在布线板上,并且具有焊盘电极、使焊盘电极与接合焊盘连接的接合引线、以及密封体。密封体在电路形成区中与有机保护膜相接触,并且在划片区中以及在焊盘电极与划片区之间的区域中与表面保护膜相接触而不与有机保护膜接触。第一侧表面比第二侧表面更接近电路形成区。粘合剂层覆盖整个半导体芯片的后表面以及半导体芯片的第二侧表面。第一侧表面与密封体接触而不被粘合剂层覆盖。
搜索关键词: 半导体 装置 及其 制造 方法
【主权项】:
一种半导体装置,包括:基材;多个端子,所述多个端子位于所述基材周围;半导体芯片,所述半导体芯片经由粘合剂层安装在所述基材上方,并且具有多个第一焊盘电极;多个接合引线,所述多个接合引线连接所述多个第一焊盘电极与所述多个端子;以及密封体,所述密封体密封所述基材、所述多个端子、所述半导体芯片、以及所述多个接合引线,其中,所述半导体芯片具有第一主表面、与所述第一主表面相对的后表面、以及位于所述第一主表面与所述后表面之间的侧表面,其中,所述第一主表面由包括第一侧的形状构成,其中,所述第一主表面具有电路形成区以及环绕所述电路形成区的划片区,其中,所述多个第一焊盘电极沿所述第一侧布置,并且布置在所述电路形成区的周边部分中,其中,所述半导体芯片具有第一保护膜和第二保护膜,所述第一保护膜由无机绝缘膜构成,露出所述多个第一焊盘电极并且覆盖所述划片区的一部分和所述电路形成区,所述第二保护膜由有机绝缘膜构成,形成在所述第一保护膜上方,露出所述多个第一焊盘电极和所述划片区,并且覆盖所述电路形成区,其中,所述密封体与所述电路形成区中的所述第二保护膜相接触,并且与所述划片区的所述一部分中的以及所述多个第一焊盘电极与所述划片区之间的区域中的所述第一保护膜相接触而不与所述第二保护膜接触,其中,所述半导体芯片的所述侧表面具有位于所述划片区中并且到达所述第一主表面的第一侧表面,以及位于所述划片区中并且到达所述后表面的第二侧表面,所述第一侧表面位于比所述第二侧表面更接近所述电路形成区,并且所述第二侧表面比所述第一侧表面长,并且其中,所述粘合剂层覆盖所述半导体芯片的整个所述后表面和所述半导体芯片的所述第二侧表面这两者,并且所述第一侧表面与所述密封体接触而不被所述粘合剂层覆盖。
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