[发明专利]一种基于封装微带的低插入损耗滤波器有效
申请号: | 201710470365.4 | 申请日: | 2017-06-20 |
公开(公告)号: | CN107369869B | 公开(公告)日: | 2019-11-12 |
发明(设计)人: | 陈鹏;羊恺 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H01P1/203 | 分类号: | H01P1/203 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于封装微带的低损耗滤波器,包括底层介质基片、中间介质基片、上层介质基片、附着于底层介质基片的金属镀层、附着与上层介质基片的金属镀层和贯穿于上层介质基片的金属过孔阵列。所述的上层介质基片金属镀层铺满整个上层介质基片上表面,所述的附着于底层介质基片金属镀层由三部分组成:输入微带线、输出微带线和三个加载开路线的发夹形谐振器,其中输入微带线和输出微带线用于连接特征阻抗为50欧姆的微带线,三个发夹形谐振器开口朝向两两各不相同,在每个发夹形谐振器的中间位置有两个串联的开路微带线。本发明所述的低损耗滤波器的典型特点为结构紧凑和插入损耗较低,可适用于微波/毫米波频段。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 封装 微带 插入损耗 滤波器 | ||
【主权项】:
1.一种基于封装微带的低插入损耗滤波器,其特征在于,该滤波器包括:底层介质基片、位于底层介质基片上的中间介质基片、位于中间介质基片上的上层介质基片、附着在底层介质基片的上金属镀层和下金属镀层、附着在上层介质基片的金属镀层和过孔阵列;附着在上层介质基片的金属镀层铺满整个上层介质基片的上表面;附着在上层介质基片的过孔阵列贯穿整个上层介质基片,过孔表面镀金属涂层,并且与附着在上层介质基片的金属镀层为同一种金属铜;中间介质基片上表面和下表面无任何金属镀层;底层介质基片的上表面由输入微带线、输出微带线和三个发夹型谐振器组成;三个发夹型谐振器依次横向排列,任意相邻的两个发夹型谐振器开口朝向相反,且相互耦合,三个谐振器的长度也两两各不相同,每个发夹形谐振器中间位置安装有两个串联开路微带线。
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