[发明专利]一种纳米银导电膜的蚀刻膏配方在审
| 申请号： | 201710473851.1 | 申请日： | 2017-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN107385444A | 公开（公告）日： | 2017-11-24 |
| 发明（设计）人： | 司荣美;潘中海;刘彩风 | 申请（专利权）人： | 天津宝兴威科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C23F1/30 | 分类号： | C23F1/30 |
| 代理公司： | 天津市新天方有限责任专利代理事务所12104 | 代理人： | 张强 |
| 地址： | 301800 天津*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明提供一种纳米银导电膜的蚀刻膏配方，按重量由下述组分组成SiO2基质3‑30份；蚀刻剂0.1‑10份；吸水剂1‑20份；聚乙二醇5‑15份；丙二醇10‑20份；草酸1‑10份；氟化合物0.1‑7份；保护剂0.1‑5份；表面活性剂0.001‑2份。本发明提供的蚀刻膏中不含有强酸和强碱，环境污染小；而且氟化合物的加入能够使蚀刻膏快速渗透到需要蚀刻的材料中，提高了蚀刻速率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 导电 蚀刻 配方 | ||
【主权项】：
一种纳米银导电膜的蚀刻膏配方，其特征在于，按重量由下列组分组成：
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