[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体器件及其制造方法。在半导体器件中，在形成在沟槽的内壁上/上方的栅极绝缘膜中，使得形成为覆盖沟槽的角部的栅极绝缘膜的一部分的膜厚度比形成在沟槽的侧面上/上方的栅极绝缘膜部分的一部分的膜厚度更厚。

主权项

一种半导体器件，包括：形成功率晶体管的单元区，在所述单元区中，半导体衬底，形成在所述半导体衬底上方的漂移层，形成在所述漂移层上方的沟道层，形成在所述沟道层上方的源极区，贯穿所述源极区和所述沟道层并且到达所述漂移层的沟槽，形成在所述沟槽的内壁上方的栅极绝缘膜，以及填充形成的所述沟槽的栅电极，其中，所述栅极绝缘膜具有与所述沟道层接触的第一部分，与所述第一部分邻接并且与所述源极区接触的第二部分，以及与所述第一部分邻接并与所述漂移层接触的第三部分，其中，所述第二部分包括与所述第一部分邻接的第一膜厚度部分，以及与所述第一膜厚度部分邻接的第二膜厚度部分，使得所述第二膜厚度部分比所述第一膜厚度部分厚，并且覆盖与所述源极区接触的所述沟槽的第一角，并且其中，所述第三部分包括与所述第一部分邻接的第三膜厚度部分，以及与所述第三膜厚度部分邻接的第四膜厚度部分，使得所述第四膜厚度部分比所述第三膜厚度部分厚，并且形成在所述沟槽的底面上方。