[发明专利]基板处理单元、烘焙装置及基板处理方法在审
申请号: | 201710481475.0 | 申请日: | 2017-06-22 |
公开(公告)号: | CN107546123A | 公开(公告)日: | 2018-01-05 |
发明(设计)人: | 金性洙;徐钟锡 | 申请(专利权)人: | 细美事有限公司 |
主分类号: | H01L21/324 | 分类号: | H01L21/324;H01L21/67 |
代理公司: | 北京市中伦律师事务所11410 | 代理人: | 石宝忠 |
地址: | 韩国忠*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 公开了一种加热基板的加热单元。该加热单元包括壳体,其在其内部提供处理空间;加热板,其在处理空间中支撑基板;加热构件,其设置在加热板中并且被配置为对由加热板支撑的基板进行加热处理;排气构件,其被配置为将在壳体的内部空间中的气体排出;和外部气体供给部件,其安装在壳体中并且被配置为将外部气体供给到处理空间中,其中外部气体供给部件包括多个入口,其设置在壳体中;和多个流速调节构件,其分别安装在入口中并且被配置为调节被引入到入口中的外部气体的流速。 | ||
搜索关键词: | 处理 单元 烘焙 装置 方法 | ||
【主权项】:
一种加热单元,包括:壳体,所述壳体在其内部提供处理空间;加热板,所述加热板在所述处理空间中支撑基板;加热构件,所述加热构件设置在所述加热板中并且被配置为对由所述加热板支撑的所述基板进行加热处理;排气构件,所述排气构件被配置为将在所述壳体的内部空间中的气体排出;和外部气体供给部件,所述外部气体供给部件安装在所述壳体中并且被配置为将外部气体供给到所述处理空间中,其中所述外部气体供给部件包括:多个入口,所述多个入口设置在所述壳体中;和多个流速调节构件,所述多个流速调节构件分别安装在所述入口中并且被配置为调节被引入到所述入口中的外部气体的流速。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于细美事有限公司,未经细美事有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710481475.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:半导体器件及其制造方法
- 下一篇:肖特基二极管的制备方法和肖特基二极管
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造